金融界2025年5月6日消息，国家知识信息显示，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种分子束外延工艺中的脱膜方法”的，公开号CN119913614A，申请日期为2025年3月脱膜 。
摘要显示，本发明提供一种分子束外延工艺中的脱膜方法，涉及半导体制造技术领域脱膜 。该方法包括：在预设As压条件下，将InP衬底升温至第一脱膜温度；在第一脱膜温度下保持第一时间段；从第一脱膜温度升温至第二脱膜温度；在第二脱膜温度下保持第三时间段，然后脱膜过程结束。本方法通过在比基准温度略低的第一脱膜温度下保持第一时间段，对衬底进行充分加热的同时，减少了磷的脱附，由于充分加热，减少了第二脱膜温度下表面氧化物完全脱附所需的时间，从而能够显著减少外延片表面缺陷，改善外延片表面质量。
天眼查资料显示，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司，成立于2011年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业脱膜 。企业注册资本6350.7246万人民币。通过天眼查大数据分析，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司参与招投标项目13次，信息72条，此外企业还拥有行政许可27个。
来源：金融界